SI3586DV-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  SI3586DV-T1-GE3
• Производитель
  Vishay Intertechnology
• Описание
  Vishay Intertechnology SI3586DV-T1-GE3 Continuous Drain Current Id: 2.5A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 2.9A, 2.1A Drain Source Voltage Vds: 20V Drain To Source Voltage (vdss): 20V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: N and P-Channel Gate Charge (qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V ID_COMPONENTS: 2661382 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSOP (0.063", 1.60mm Width) Power - Max: 830mW Power Dissipation Pd: 830mW Rds On (max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V Series: TrenchFET?® Threshold Voltage Vgs Typ: 1.1V Transistor Polarity: N And P Channel Vgs(th) (max) @ Id: 1.1V @ 250?µA Other Names: SI3586DV-T1-GE3TR
• Количество страниц
  9 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  114,96 KB

SI3586DV-T1-GE3 datasheet скачать

SI3586DV-T1-GE3 datasheet